第594章 用你的未来击败你的现在

在冷笑。

    但当他的余光瞥见那个模型时，他的笑容僵住了。

    他猛地转过头，死死盯着墙壁。

    那是……

    那是磁性隧道结（mtJ）。

    “这是我们在俄罗斯的一个实验室里，发现的一组数据。”

    闻人语的声音很轻，像是在讲一个睡前故事。

    “苏联解体前，那个实验室正在研究一种新型的存储材料。他们管这个叫‘自旋电子学’。”

    方辰敲了一下回车键。

    画面变了。

    不再是模型，而是一组实验数据。

    那是关于电子自旋极化率和隧穿磁阻效应的曲线图。

    崔志勋的瞳孔缩成了针尖大小。

    他整个人像被电流击中了一样，猛地从沙发上弹了起来。

    “这……这不可能！”

    他冲到墙壁前，脸几乎贴到了投影上。

    他的手颤抖着，想要去摸那些光影，却又不敢碰，仿佛那是易碎的神像。

    “这是mRAm（磁阻随机存取存储器）的理论模型！”

    崔志勋的声音变了调，像是被掐住了脖子的公鸡。

    “这是理论！这仅仅是理论！Ibm和摩托罗拉都在搞，但他们都卡在材料稳定性上！怎么可能有成品数据？”

    “翻页。”

    闻人语没有理会他的咆哮，只是对方辰下令。

    方辰又敲了一下键盘。

    屏幕上出现了一个配方。

    钴、铁、硼。

    以及一个精确到小数点后四位的厚度参数：0.8纳米。

    崔志勋看着那个数字。

    他的呼吸停止了。

    他在脑海里疯狂地计算，模拟。

    如果不使用传统的氧化铝势垒，改用氧化镁……再加上这个厚度……

    隧穿磁阻率会突破200%！

    这意味着，mRAm将不再是实验室里的玩具，它将具备商业化量产的可能！

    这是dRAm的终结者。

    这是存储芯片的下一代革命。

    “你刚才说，你们领先业界五年。”

    闻人语坐在沙发上，端起茶杯，吹了吹漂浮的茶叶。

    “崔博士，你现在看到的这个东西，是十年后的技术。”

    “我们不需要跨过你那五年的鸿沟。”

    “我们直接造了一座桥，飞过去了。”

    崔志勋的身体晃了一下。

    他转过身，看着闻人语。

    眼神里的傲慢消失了，取而代之的是一种看到神迹般的恐惧和狂热。

    作为一个技术狂人，他太清楚这组数据的价值了。

    如果这是真的，那么他刚才引以为傲的那些64m dRAm图纸，就是一堆废纸。

    那是被时代淘汰的垃圾。

    “这……这数据……你是从哪里弄来的？”

    崔志勋的声音在发抖。

    “这不重要。”

    闻人语放下茶杯。

    “重要的是，我有地图，你有船。”

    她站起身，走到崔志勋身边。

    她比崔志勋矮半个头，但在气势上，她像是在俯视这个男人。

    “华尔街的人，只看得到现在的报表。他们买下你们，是为了榨干你们现在的剩余价值。”

    “而我，是用你们的未来，来击败你们的现在。”

    闻人语伸出手，指着墙上的投影。

    “崔博士，你想不想做第一个把这个‘未来’变成现实的人？”

    “你想不想让英特尔和三星那帮人，跟在你屁股后面吃灰？”

    崔志勋吞了一口口水。

    他的喉结剧烈滚动。

    这是一个无法拒绝的诱惑。

    对于一个工程师来说，这就是让他去触摸上帝的裙摆。

    “我……”

    崔志勋张了张嘴。

    他回头看了一眼郑梦准。

    郑梦准手里的佛珠已经停了很久。

    他虽然不懂技术，但他看得懂人